供应6ES7 214-1AD23-0XB0西门子CPU西门子CPU224

6ES7 214-1AD23-0XB0

6ES7 214-1BD23-0XB0

电源电压

24 V DC

√

允许范围，下限 (DC)

20.4 V

允许范围，上限 (DC)

28.8 V

120 V AC

√

230 V AC

√

电源频率

63 Hz

负载电压 L+

24 V

24 V

20.4 V

5 V

28.8 V

30 V

负载电压L1

100 V; 100 至 230 V AC

5 V

250 V

47 Hz

63 Hz

输入电流

突波电流**大

28.8 V 时 12 A

264 V 时 20 A

从电源L+ 供电**大

700 mA; 110 - 700 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA

从电源L1供电**大

200 mA; 30 - 100 mA (240 V); 60 - 200 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 600 mA

编码器电源

24 V 编码器电源

√；允许范围：15.4 至 28.8 V

√；允许范围：20.4 至 28.8 V

√; 280 mA 时电子式

√; 280 mA 时电子式

280 mA

280 mA

备用电池

电池运行

100 小时；（40 ℃ 时**短 70 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

100 小时；（40 ℃ 时**短 70 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

存储器

存储模块数量(选件)

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

数据和程序存储器

8 kbyte

8 kbyte

12 KB；8 KB 用于运行时编辑

12 KB；8 KB 用于运行时编辑

后备

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

CPU 处理时间

位指令**大

0.22 μs

0.22 μs